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SDD04S60	文件：280.47 Kbytes Page：9 Pages	Silicon Carbide Schottky Diode Silicon Carbide Schottky Diode • Worlds first 600V Schottky diode • Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide • Switching behavior benchmark • No reverse recovery • No temperature influence on the switching behavior • Ideal diode for Power Factor Correction up to 800W1) • No fo 文件：280.47 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SDD04S60	文件：253.31 Kbytes Page：2 Pages	SiC Schottky Diode FEATURES · Switching Behavior Benchmark · No Reverse Recovery · No Forward Recovery APPLICATIONS · Free Wheeling Diodes · AC/DC Converters · Switch Mode Power Supplies (SMPS) 文件：253.31 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SDD04S60	文件：800.96 Kbytes Page：10 Pages	Silicon Carbide Schottky Diode 文件：800.96 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SDD04S60	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon Carbide Schottky Diode	Infineon 英飞凌	Infineon
SDD04S60	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-3	INFINEON 英飞凌	INFINEON

产品属性

产品编号：
SDD04S60
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
系列：
CoolSiC™+
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
碳化硅肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
4A
速度：
无恢复时间 > 500mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
150pF @ 0V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
PG-TO252-3-11
工作温度 - 结：
-55°C ~ 175°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-3

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