SD1019中文资料RF/Microwave Si BJT Power Devices & Pallets数据手册Microchip规格书
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
SD1019三极管、SD1019晶体管、SD1019晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
甚高频 （VHF）_功率放大 （L）
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
65V
- 最大电流允许值：
9A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
4
- 可代换的型号：
3D74C,
- 最大耗散功率：
100W
- 放大倍数：
β>5
- 图片代号：
G-98
- vtest：
65
- htest：
999900
- atest：
9
- wtest：
100
技术参数
- 产品编号：
SD1019
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
带
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
35V
- 频率 - 跃迁：
136MHz
- 增益：
4.5dB
- 功率 - 最大值：
117W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
5 @ 500mA，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
9A
- 工作温度：
200°C
- 安装类型：
接线柱安装
- 封装/外壳：
M130
- 供应商器件封装：
M130
- 描述：
RF TRANS NPN 35V 136MHZ M130
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
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DO-35 |
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