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SD1013-03数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF

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厂商型号

SD1013-03

参数属性

SD1013-03 封装/外壳为M113;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 35V 150MHZ M113

功能描述

Trans RF BJT NPN 35V 1A 4-Pin Style M113

封装外壳

M113

制造商

NJS New Jersey Semiconductor

数据手册

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更新时间

2025-8-6 16:55:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :SD1013-03

  • 生产厂家

    :NJS

  • Maximum Emitter Base Voltage

    :4V

  • Maximum DC Collector Current Range

    :0.5 to 2A

  • Maximum DC Collector Current

    :1A

  • Maximum Collector Emitter Voltage Range

    :30 to 40V

  • Maximum Collector Emitter Voltage

    :35V

  • Maximum Collector Cut-Off Current

    :1000000nA

  • Maximum Collector Base Voltage

    :65V

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