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SCTL90N65G2V数据手册ST中文资料规格书
SCTL90N65G2V规格书详情
描述 Description
该碳化硅功率MOSFET晶体管采用ST先进、创新的第二代碳化硅（SiC）MOSFET技术开发而成。该器件单位面积导通电阻极低且具有良好的开关性能。开关损耗的变化几乎与结温无关。
特性 Features
• 稳定的超快速本体二极管
• 低电容
• 源极感应引脚可提高效率
技术参数
- 制造商编号
：SCTL90N65G2V
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 8x8 HV
- Grade
：Industrial
- VDSS_nom(V)
：650
- RDS(on)_max(mΩ)
：24
- Drain Current (Dc)_max(A)
：40
- PTOT_max(W)
：935
- Qg_typ(nC)
：157
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
1661 |
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询价 | ||
ST/意法 |
21+ |
SMD |
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询价 | ||
ST(意法半导体) |
20+ |
PowerVDFN-8 |
3000 |
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ST |
2018+ |
SMD |
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询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
PowerFLAT8x8HV |
11200 |
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询价 | ||
ST |
23+ |
QFP |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
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ST |
QFP |
3200 |
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询价 | |||
ST(意法半导体) |
24+ |
PowerVDFN-8 |
9908 |
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TYCOELECTRONICS |
新 |
45005 |
全新原装 货期两周 |
询价 |
