Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV package

该碳化硅功率MOSFET晶体管采用ST先进、创新的第二代碳化硅（SiC）MOSFET技术开发而成。该器件单位面积导通电阻极低且具有良好的开关性能。开关损耗的变化几乎与结温无关。 • 稳定的超快速本体二极管 \n• 低电容 \n• 源极感应引脚可提高效率;

ST

意法半导体

丝印：90N65G2V；Package：PowerFLAT8x8HV；Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 m廓 typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV package

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Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mΩ (typ., TJ = 25 °C)in an HiP247 package

Features • Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C) • Very fast and robust intrinsic body diode • Extremely low gate charge and input capacitances Applications • Switching applications • Power supply for renewable energy systems • High frequency DC-DC converte

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Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 m廓 in an HiP247 long leads package

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