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SCTL35N65G2V中文资料Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV package数据手册ST规格书
SCTL35N65G2V规格书详情
描述 Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
特性 Features
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Low capacitances
• Source sensing pin for increased efficiency
技术参数
- 制造商编号
：SCTL35N65G2V
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 8x8 HV
- Grade
：Industrial
- VDSS_nom(V)
：650
- RDS(on)_max(mΩ)
：67
- Drain Current (Dc)_max(A)
：40
- PTOT_max(W)
：417
- Qg_typ(nC)
：73
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
22+ |
SMD |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
SMD |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ST |
24+ |
QFP |
16900 |
支持样品,原装现货,提供技术支持! |
询价 | ||
ST |
25+ |
QFP |
16900 |
原装，请咨询 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST |
QFP |
3200 |
原装长期供货! |
询价 | |||
ST/意法 |
2518+ |
SMD |
9852 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
ST |
2931 |
只做正品 |
询价 | ||||
ST |
23+ |
QFP |
16900 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
24+ |
N/A |
62000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 |
