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SCTL35N65G2V规格书详情
描述 Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
特性 Features
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Low capacitances
• Source sensing pin for increased efficiency
技术参数
- 制造商编号
：SCTL35N65G2V
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 8x8 HV
- Grade
：Industrial
- VDSS_nom(V)
：650
- RDS(on)_max(mΩ)
：67
- Drain Current (Dc)_max(A)
：40
- PTOT_max(W)
：417
- Qg_typ(nC)
：73
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
24+ |
PowerVDFN8 |
7350 |
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ST/意法 |
24+ |
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ST/意法 |
21+ |
SMD |
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ST |
两年内 |
NA |
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ST(意法半导体) |
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PowerVDFN-8 |
3000 |
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ST |
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SMD |
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ST/意法 |
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PowerFLAT8x8HV |
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ST |
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QFP |
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ST/意法半导体 |
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ST |
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