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SCTH70N120G2V-7数据手册ST中文资料规格书

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厂商型号

SCTH70N120G2V-7

功能描述

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 90 A in an H2PAK-7 package

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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SCTH70N120G2V-7规格书详情

描述 Description

该碳化硅功率MOSFET晶体管采用ST先进、创新的第二代碳化硅(SiC)MOSFET技术开发而成。该器件单位面积导通电阻极低且具有良好的开关性能。开关损耗的变化几乎与结温无关。

特性 Features

• 稳定的超快速本体二极管
• 极低的栅极电荷和输入电容
• 源极感应引脚可提高效率

技术参数

  • 制造商编号

    :SCTH70N120G2V-7

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :H2PAK-7

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS_nom(V)

    :1200

  • RDS(on)_max(mΩ)

    :30

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :90

  • PTOT_max(W)

    :469

  • Qg_typ(nC)

    :150

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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