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SCTH40N120G2V7AG中文资料汽车级碳化硅功率MOSFET，1200 V、33 A、75 mOhm（典型值，TJ = 25 C），H2PAK-7封装数据手册ST规格书
SCTH40N120G2V7AG规格书详情
描述 Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
特性 Features
• AEC-Q101 qualified
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Extremely low gate charge and input capacitance
• Source sensing pin for increased efficiency
技术参数
- 制造商编号
：SCTH40N120G2V7AG
- 生产厂家
：ST
- Package
：H2PAK-7
- Grade
：Automotive
- VDSS_nom(V)
：1200
- Drain Current (Dc)_max(A)
：33
- RDS(on)_max(@ VGS=20V)(Ω)
：0.105
- PTOT_max(W)
：250
- Qg_typ(nC)
：63
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
32000 |
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ST |
24+ |
原厂原封 |
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ST |
25+ |
原厂原封 |
16900 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
2021+ |
H2PAK-7 |
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ST/意法半导体 |
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ST |
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ST |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法半导体 |
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H2PAK-7 |
10000 |
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