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SCTH35N65G2V-7AG规格书详情
描述 Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
特性 Features
• AEC-Q101 qualified
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Extremely low gate charge and input capacitance
• Source sensing pin for increased efficiency
技术参数
- 制造商编号
：SCTH35N65G2V-7AG
- 生产厂家
：ST
- Package
：H2PAK-7
- Grade
：Automotive
- VDSS_nom(V)
：650
- Drain Current (Dc)_max(A)
：45
- RDS(on)_max(@ VGS=20V)(Ω)
：0.067
- PTOT_max(W)
：208
- Qg_typ(nC)
：73
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+ |
原厂原封 |
16900 |
支持样品,原装现货,提供技术支持! |
询价 | ||
ST |
两年内 |
NA |
10 |
实单价格可谈 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
21+ |
H2PAK-7 |
1000 |
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ST |
25+ |
原厂原封 |
16900 |
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ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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ST(意法半导体) |
20+ |
H2PAK-7 |
1000 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
21+ |
H2PAK-7 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
24+ |
32000 |
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ST |
23+ |
原厂原封 |
16900 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
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询价 |
