SCT50N120中文资料碳化硅功率MOSFET，1200 V、65 A、59 mOhm（典型值，TJ = 150 C），HiP247封装数据手册ST规格书
SCT50N120规格书详情
描述 Description
该碳化硅功率MOSFET晶体管是利用宽禁带半导体材料的先进和创新特性生产出来的。因此，器件具有每区域无可比拟的导通状态电阻，以及卓越的开关性能，随温度变化极小。碳化硅（SiC）材料具有出色的热性能，使设计人员能够采用符合行业标准的设计，显著提高器件的散热能力。这些特性使器件非常适用于高效率和高功率密度应用。
特性 Features
• 导通电阻随温度变化敏感温度
• 非常高的额定工作结温 (TJ = 200 °C)
• 稳定的超快速本体二极管
• 低电容
技术参数
- 制造商编号
：SCT50N120
- 生产厂家
：ST
- Package
：HIP247
- Grade
：Industrial
- VDSS_nom(V)
：1200
- Drain Current (Dc)_max(A)
：65
- RDS(on)_max(@ VGS=20V)(Ω)
：0.069
- PTOT_max(W)
：318
- Qg_typ(nC)
：122
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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原厂原封 |
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