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SCT4026DRHR中文资料750V, 56A, 4引脚THD, 沟槽结构 车载SiC-MOSFET数据手册ROHM规格书

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厂商型号

SCT4026DRHR

功能描述

750V, 56A, 4引脚THD, 沟槽结构 车载SiC-MOSFET

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-27 17:12:00

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SCT4026DRHR规格书详情

描述 Description

SCT4026DRHR是一款750V、56A的Nch SiC功率MOSFET。该产品采用沟槽结构实现了更低的导通电阻,是符合AEC-Q101标准的高可靠性车规级产品。



ROHM的第4代SiC MOSFET

SCT4系列是改善了短路耐受时间并实现了业界超低导通电阻的第4代产品。与以往产品相比,该系列产品的导通电阻降低了约40%,开关损耗降低了约50%。另外,该产品还支持更容易处理的15V栅-源电压,使应用产品的设计更容易。

特性 Features

• Qualified to AEC-Q101
• Low on-resistance
• Fast switching speed
• Fast reverse recovery
• Easy to parallel
• Simple to drive
• Pb-free lead plating ; RoHS compliant

技术参数

  • 制造商编号

    :SCT4026DRHR

  • 生产厂家

    :ROHM

  • 封装

    :TO-247-4L

  • 包装数量

    :450

  • 最小独立包装数量

    :30

  • 包装形态

    :Tube

  • RoHS

    :Yes

  • Drain-source Voltage[V]

    :750

  • Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

    :26

  • Generation

    :4th Gen (Trench)

  • Drain Current[A]

    :56

  • Total Power Dissipation[W]

    :176

  • Junction Temperature(Max.)[°C]

    :175

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-40

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :175

  • Package Size [mm]

    :16x23.45 (t=5.2)

  • Common Standard

    :AEC-Q101 (Automotive Grade)

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