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SCT4036KEHR中文资料1200V, 43A, 3引脚THD, 沟槽结构 车载SiC-MOSFET数据手册ROHM规格书
SCT4036KEHR规格书详情
描述 Description
SCT4036KEHR是一款1200V、43A的Nch SiC功率MOSFET。该产品采用沟槽结构实现了更低的导通电阻，是符合AEC-Q101标准的高可靠性车规级产品。
ROHM的第4代SiC MOSFET
SCT4系列是改善了短路耐受时间并实现了业界超低导通电阻的第4代产品。与以往产品相比，该系列产品的导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。另外，该产品还支持更容易处理的15V栅-源电压，使应用产品的设计更容易。
特性 Features
• Qualified to AEC-Q101
• Low on-resistance
• Fast switching speed
• Fast reverse recovery
• Easy to parallel
• Simple to drive
• Pb-free lead plating ; RoHS compliant
技术参数
- 制造商编号
：SCT4036KEHR
- 生产厂家
：ROHM
- 封装
：TO-247N
- 包装数量
：450
- 最小独立包装数量
：30
- 包装形态
：Tube
- RoHS
：Yes
- Drain-source Voltage[V]
：1200
- Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
：36
- Generation
：4th Gen (Trench)
- Drain Current[A]
：43
- Total Power Dissipation[W]
：176
- Junction Temperature(Max.)[°C]
：175
- Storage Temperature (Min.)[°C]
：-40
- Storage Temperature (Max.)[°C]
：175
- Package Size [mm]
：16x21 (t=5.2)
- Common Standard
：AEC-Q101 (Automotive Grade)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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