丝印：SCT4026DR；Package：TO-247-4L；N-channel SiC power MOSFET

Features 6) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 1) Low on-resistance 2) Fast switching speed 3) Fast reverse recovery 4) Easy to parallel 5) Simple to drive Applications ・Induction heating ・Motor drives ・Solar inverters ・DC/DC converters ・Switch mode power supplies

文件：1.43427 Mbytes 页数：15 Pages

ROHM

罗姆

丝印：SCT4026DR；Package：TO-247-4L；Automotive Grade N-channel SiC power MOSFET

● Features 1) Qualified to AEC-Q101 2) Low on-resistance 3) Fast switching speed 4) Fast reverse recovery 5) Easy to parallel 7) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 6) Simple to drive ● Application ・Automobile ・Switch mode power supplies

文件：1.46704 Mbytes 页数：17 Pages

ROHM

罗姆

750V, 26mΩ, 4引脚THD, 沟槽结构, SiC MOSFET

SCT4026DR是有助于应用产品实现小型化和更低功耗的SiC MOSFET。该产品采用带有驱动器源极引脚的封装形式，可更大程度地激发出SiC MOSFET的高速开关性能。\n\n\n\nROHM的第4代SiC MOSFET\n\nSCT4系列是改善了短路耐受时间并实现了业界超低导通电阻的第4代产品。与以往产品相比，该系列产品的导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。另外，还支持更容易处理的15V栅-源电压，使应用产品的设计更容易。 • Low on-resistance\n• Fast switching speed\n• Fast reverse recovery\n• Easy to parallel\n• Simple to drive\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant;

ROHM

罗姆

750V, 56A, 4引脚THD, 沟槽结构 车载SiC-MOSFET

SCT4026DRHR是一款750V、56A的Nch SiC功率MOSFET。该产品采用沟槽结构实现了更低的导通电阻，是符合AEC-Q101标准的高可靠性车规级产品。\n\n\n\nROHM的第4代SiC MOSFET\n\nSCT4系列是改善了短路耐受时间并实现了业界超低导通电阻的第4代产品。与以往产品相比，该系列产品的导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。另外，该产品还支持更容易处理的15V栅-源电压，使应用产品的设计更容易。 • Qualified to AEC-Q101\n• Low on-resistance\n• Fast switching speed\n• Fast reverse recovery\n• Easy to parallel\n• Simple to drive\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant;

ROHM

罗姆