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SCS230AE2 | SiC(碳化硅)肖特基势垒二极管; •反向恢复时间短 \n•能够高速开关 \n•特性的温度影响小; SCS230AE2是可通过低VF进行高速开关的SiC肖特基势垒二极管。 3pin封装 | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | |
SCS230AE2 | SiC Schottky Barrier Diode | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | |
SCS230AE2 | SiC Schottky Barrier Diode | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | |
SiC Schottky Barrier Diode | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
丝印:SCS230AE2;Package:TO-247;SiC Schottky Barrier Diode | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
SiC Schottky Barrier Diode | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
丝印:SCS230AE2;Package:TO-247;SiC Schottky Barrier Diode | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
SiC Schottky Barrier Diode | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:650V, 30A, 3-PIN THD, SILICON-CA | Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | ||
Package:TO-247-3;包装:托盘 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247 | Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
技术参数
- 封装:
TO-247N
- 包装数量:
450
- 最小独立包装数量:
30
- 包装形态:
Tube
- RoHS:
Yes
- Grade:
Standard
- Reverse Voltage[V]:
650
- Continuous Forward Current[A]:
30
- Generation:
2nd Gen
- Total Power Dissipation[W]:
230
- Junction Temperature(Max.)[°C]:
175
- Storage Temperature (Min.)[°C]:
-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]:
175
- Package Size [mm]:
16x21 (t=5.2)
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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Rohm(罗姆) |
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ROHM |
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