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SCS230AE2

SiC(碳化硅)肖特基势垒二极管; •反向恢复时间短 \n•能够高速开关 \n•特性的温度影响小;

SCS230AE2是可通过低VF进行高速开关的SiC肖特基势垒二极管。 3pin封装

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

SCS230AE2

SiC Schottky Barrier Diode

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

SCS230AE2

SiC Schottky Barrier Diode

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

SCS230AE2_17

SiC Schottky Barrier Diode

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

SCS230AE2C

丝印:SCS230AE2;Package:TO-247;SiC Schottky Barrier Diode

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

SCS230AE2HR

SiC Schottky Barrier Diode

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

SCS230AE2HR

丝印:SCS230AE2;Package:TO-247;SiC Schottky Barrier Diode

ROHMRohm

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SCS230AE2HR_17

SiC Schottky Barrier Diode

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

SCS230AE2GC11

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:650V, 30A, 3-PIN THD, SILICON-CA

Rohm Semiconductor

Rohm Semiconductor

Rohm Semiconductor

SCS230AE2HRC

Package:TO-247-3;包装:托盘 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247

Rohm Semiconductor

Rohm Semiconductor

Rohm Semiconductor

技术参数

  • 封装:

    TO-247N

  • 包装数量:

    450

  • 最小独立包装数量:

    30

  • 包装形态:

    Tube

  • RoHS:

    Yes

  • Grade:

    Standard

  • Reverse Voltage[V]:

    650

  • Continuous Forward Current[A]:

    30

  • Generation:

    2nd Gen

  • Total Power Dissipation[W]:

    230

  • Junction Temperature(Max.)[°C]:

    175

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    175

  • Package Size [mm]:

    16x21 (t=5.2)

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更多SCS230AE2供应商 更新时间2025-7-28 10:46:00