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SCS230AE2HR	文件：918.06 Kbytes Page：6 Pages	SiC Schottky Barrier Diode 文件：918.06 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SCS230AE2HR	文件：485.53 Kbytes Page：6 Pages	丝印：SCS230AE2；Package：TO-247；SiC Schottky Barrier Diode 文件：485.53 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SCS230AE2HR_17	文件：918.06 Kbytes Page：6 Pages	SiC Schottky Barrier Diode 文件：918.06 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SCS230AE2HR	文件：300 bytes Page：1 Pages	车载用SiC（碳化硅）肖特基势垒二极管 SCS230AE2HR是以AEC-Q101为标准、支持车载的SiC肖特基势垒二极管。可降低开关损耗，可高速开关。3pin封装。 • AEC-Q101 qualified\n• Shorter recovery time\n• High-speed switching possible\n• Reduced temperature dependence;	ROHM 罗姆	ROHM
SCS230AE2HRC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：托盘类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247	ROHM 罗姆	ROHM
SCS230AE2HRC11	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：650V, 30A, 3-PIN THD, SILICON-CA	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
TO-247N
包装数量：
450
最小独立包装数量：
30
包装形态：
Tube
RoHS：
Yes
Grade：
Automotive
Reverse Voltage[V]：
650
Continuous Forward Current[A]：
30
Generation：
2nd Gen
Total Power Dissipation[W]：
230
Junction Temperature(Max.)[°C]：
175
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
175
Package Size [mm]：
16x21 (t=5.2)
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)

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更多SCS230AE2HR供应商更新时间2025-12-1 17:58:00

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