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SCS220AM	文件：300 bytes Page：1 Pages	SiC（碳化硅）肖特基势垒二极管为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。 •反向恢复时间短 \n•特性的温度影响小;	ROHM 罗姆	ROHM
SCS220AM	文件：1.01001 Mbytes Page：6 Pages	SiC Schottky Barrier Diode 文件：1.01001 Mbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SCS220AMC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-2 整包；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO220FM	ROHM 罗姆	ROHM
SCS220AN	文件：1.02284 Mbytes Page：10 Pages	SiC Schottky Barrier Diode Features 3) Temperature independent switching behavior 2) Negligible recovery time/current 4) Wide creepage distance = min. 5.10mm 1) Low forward voltage Applications ・Factory Automation ・EV Charger Station ・PV Power Conditioner ・Wireless Charger 文件：1.02284 Mbytes 页数：10 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SCS220ANHR	文件：1.12158 Mbytes Page：10 Pages	Automotive Grade SiC Schottky Barrier Diode Features 5) Wide creepage distance = min. 5.10mm 3) Negligible recovery time/current 2) Low forward voltage 4) Temperature independent switching behavior 1) AEC-Q101 qualified Applications ・On Board Charger ・EV Charger ・DC/DC Converter ・Wireless Charger 文件：1.12158 Mbytes 页数：10 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SCS220KG	文件：951.03 Kbytes Page：6 Pages	SiC Schottky Barrier Diode 文件：951.03 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
TO-220FM2L
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
50
包装形态：
Tube
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Reverse Voltage[V]：
650
Continuous Forward Current[A]：
20.0
Total Power Dissipation[W]：
40
Junction Temperature(Max.)[°C]：
175
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
175

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更多SCS220AM供应商更新时间2025-12-15 14:14:00

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