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SCS220AN	文件：1.02284 Mbytes Page：10 Pages	丝印：SCS220AN；Package：TO-263-2L；SiC Schottky Barrier Diode Features 3) Temperature independent switching behavior 2) Negligible recovery time/current 4) Wide creepage distance = min. 5.10mm 1) Low forward voltage Applications ・Factory Automation ・EV Charger Station ・PV Power Conditioner ・Wireless Charger 文件：1.02284 Mbytes 页数：10 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SCS220ANHR	文件：1.12158 Mbytes Page：10 Pages	丝印：SCS220AN；Package：TO-263-2L；Automotive Grade SiC Schottky Barrier Diode Features 5) Wide creepage distance = min. 5.10mm 3) Negligible recovery time/current 2) Low forward voltage 4) Temperature independent switching behavior 1) AEC-Q101 qualified Applications ・On Board Charger ・EV Charger ・DC/DC Converter ・Wireless Charger 文件：1.12158 Mbytes 页数：10 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SCS220ANHR	文件：300 bytes Page：1 Pages	650V, 20A, SMD, Silicon-carbide (SiC) SBD for Automotive Switching loss reduced, enabling high-speed switching. (3-pin package) • AEC-Q101 qualified\n• Low forward voltage\n• Negligible recovery time/current\n• Temperature independent switching behavior\n• Wide creepage distance = min. 5.10mm;	ROHM 罗姆	ROHM
SCS220KG	文件：951.03 Kbytes Page：6 Pages	SiC Schottky Barrier Diode 文件：951.03 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SCS220KGHR	文件：951.1 Kbytes Page：6 Pages	SiC Schottky Barrier Diode 文件：951.1 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SCS220KGHR	文件：479.49 Kbytes Page：6 Pages	SiC Schottky Barrier Diode 文件：479.49 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
TO-263-2L
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
1000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Automotive
Reverse Voltage[V]：
650
Continuous Forward Current[A]：
20
Generation：
2nd Gen
Total Power Dissipation[W]：
100
Junction Temperature(Max.)[°C]：
175
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]：
175
Package Size [mm]：
10.1x15.1 (t=4.7)
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)

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