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IXFC110N10P	文件：236.31 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFETISOPLUS220	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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IXTQ110N10P	文件：316.68 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=15mΩ(Max) •FastSwitching •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switch-ModeandResonant-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTT110N10P	文件：578.97 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementMode PolarHT™PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
SUM110N10	文件：156.92 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel100V(D-S)175°CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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