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BF908R	文件：258.18 Kbytes Page：9 Pages	Dual-gateMOS-FETs DESCRIPTION Depletiontypefield-effecttransistorinaplasticmicrominiatureSOT143orSOT143Rpackage.Thetransistorsareprotectedagainstexcessiveinputvoltagesurgesbyintegratedback-to-backdiodesbetweengatesandsource. FEATURES •Highforwardtransferadmittance •Shortch	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BF908R	文件：87.6 Kbytes Page：8 Pages	Dual-gateMOS-FETs DESCRIPTION Depletiontypefield-effecttransistorinaplasticmicrominiatureSOT143orSOT143Rpackage.Thetransistorsareprotectedagainstexcessiveinputvoltagesurgesbyintegratedback-to-backdiodesbetweengatesandsource. FEATURES •Highforwardtransferadmittance •Shortch	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF908WR	文件：103.19 Kbytes Page：7 Pages	N-channeldual-gateMOS-FET DESCRIPTION DepletiontypefieldeffecttransistorinaplasticmicrominiatureSOT343Rpackage.Thetransistoris protectedagainstexcessiveinputvoltagesurgesbyintegratedback-to-backdiodesbetweengatesandsource. FEATURES •Highforwardtransferadmittance •Shortchanne	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF908WR	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BU908	文件：136.9 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BU908	文件：74.83 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BU908	文件：135.33 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BU908	文件：45.08 Kbytes Page：1 Pages	BU908	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
BU908F	文件：89.12 Kbytes Page：2 Pages	TO-3PFullyIsolatedPlasticPackageTransistorCDIL TO-3PFullyIsolatedPlasticPackageTransistorCDIL	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BUZ908	文件：25.89 Kbytes Page：2 Pages	POWERMOSFETSFORAUDIOAPPLICATIONS POWERMOSFETSFORAUDIOAPPLICATIONS FEATURES •HIGHSPEEDSWITCHING •SEMEFABDESIGNEDANDDIFFUSED •HIGHVOLTAGE(220V&250V) •HIGHENERGYRATING •ENHANCEMENTMODE •INTEGRALPROTECTIONDIODES •COMPLIMENTARYN–CHANNELBUZ902&BUZ903	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

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