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SC10650FCOI

碳化硅整流器

ANSAS

安萨斯

ANSAS

WNSC10650T

Silicon Carbide Diode

文件:504.15 Kbytes 页数:11 Pages

WEEN

瑞能半导体

WNSC10650W

Silicon Carbide Diode

文件:515.52 Kbytes 页数:11 Pages

WEEN

瑞能半导体

WNSC10650WQ

Silicon Carbide Diode

文件:515.52 Kbytes 页数:11 Pages

WEEN

瑞能半导体

技术参数

  • Ptot(W):

    55.6

  • Typ.VF(V):

    1.4

  • Max.VF(V):

    1.7

  • Typ.IR(uA):

    1

  • Max.IR(uA):

    20

  • IFRM(A):

    80

  • IFSM(A):

    105

  • Typ.QC(nC):

    28

  • Typ.EC(uJ):

    7.0

  • Max.TJ(℃):

    175

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更多SC10650FCOI供应商 更新时间2025-12-1 13:25:00