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SBRT4U45LP	文件：505.82 Kbytes Page：5 Pages	4A TrenchSBR TRENCH SUPER BARRIER RECTIFIER Features Patented TrenchSBR technology provides superior avalanche capability versus schottky diodes, ensuring more rugged and reliable end applications. Reduced ultra-low forward voltage drop (VF); Better efficiency and cooler operation. Reduced high temperature reverse leakage. Increased reli 文件：505.82 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
SBRT4U45LP-7	文件：505.82 Kbytes Page：5 Pages	丝印：4U45；Package：U-DFN2020-2；4A TrenchSBR TRENCH SUPER BARRIER RECTIFIER Features Patented TrenchSBR technology provides superior avalanche capability versus schottky diodes, ensuring more rugged and reliable end applications. Reduced ultra-low forward voltage drop (VF); Better efficiency and cooler operation. Reduced high temperature reverse leakage. Increased reli 文件：505.82 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
SBRT4U45LP_15	文件：540.16 Kbytes Page：5 Pages	4A TrenchSBR TRENCH SUPER BARRIER RECTIFIER 文件：540.16 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
SBRT4U45LP	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRENCH SUPER BARRIER RECTIFIER The SBRT4U45LP provides very low VF and excellent reverse\n\n\tleakage stability at high temperatures. It is ideal for use as bypass\n\n\tdiode and rectifier, freewheel diode or blocking diode in applications.\n\n\t\t\t\t\t\t\n\n\t\t\t\t\t\t\n\n\t\t\t\t\t\t\n\n\n\t\t\t\t\t\n\t\t\t\t\n\t\t\t\n\n\n\n\	Diodes 美台半导体	Diodes
SBRT4U45LP-7	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：2-UDFN；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SBR 45V 4A 2DFN	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Configuration：
Single
Maximum Average Rectified Current IO：
4 A
@ Terminal Temperature TT：
- ºC
Peak Repetitive Reverse Voltage VRRM：
45 V
Peak Forward Surge Current IFSM：
45 A
Forward Voltage Drop VF (V)：
0.52
@ IF：
- A
Maximum Reverse Current IR：
100 µA
@ VR：
45 V
Reverse Recovery Time trr：
- ns
Total Capacitance CT：
- pF
Packages：
U-DFN2020-2 (Type B)

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更多SBRT4U45LP供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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