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SBRT2M10LP	文件：311.1 Kbytes Page：5 Pages	2A TrenchSBR TRENCH SUPER BARRIER RECTIFIER Features Patented TrenchSBR technology provides superior avalanche capability versus schottky diodes, ensuring more rugged and reliable end applications. Reduced ultra-low forward voltage drop (VF); Better efficiency and cooler operation. Reduced high temperature reverse leakage; Increased r 文件：311.1 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
SBRT2M10LP-7	文件：311.1 Kbytes Page：5 Pages	丝印：D1；Package：X1-DFN1411-3；2A TrenchSBR TRENCH SUPER BARRIER RECTIFIER Features Patented TrenchSBR technology provides superior avalanche capability versus schottky diodes, ensuring more rugged and reliable end applications. Reduced ultra-low forward voltage drop (VF); Better efficiency and cooler operation. Reduced high temperature reverse leakage; Increased r 文件：311.1 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
SBRT2M10LP_15	文件：311.1 Kbytes Page：5 Pages	2A TrenchSBR TRENCH SUPER BARRIER RECTIFIER 文件：311.1 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
SBRT2M10LP	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRENCH SUPER BARRIER RECTIFIER The SBRT2M10LP provides very low VF and excellent reverse leakage stability at high temperatures. It is ideal for use as bypass\n\n\tand rectifier, freewheel diode or blocking diode in applications.\n\n\t\t\t\t\t\t\n\n\t\t\t\t\t\t\n\n\t\t\t\t\t\t\n\n\n\t\t\t\t\t\n\t\t\t\t\n\t\t\t\n\n\n\n\n\t\t\t\n\t	Diodes 美台半导体	Diodes
SBRT2M10LP-7	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-UDFN；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SBR 10V 2A 3DFN	PAM 龙鼎微	PAM

技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
Standard (Q on Request)
Configuration：
Single
MaximumAverageRectifiedCurrent IO (A)：
2 A
Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)：
10 V
Peak ForwardSurge CurrentIFSM (A)：
25 A
@ IF (A)：
- A
@ VR (V)：
10 V
Packages：
X1-DFN1411-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市科雨电子有限公司	SBRT2M10LP-7	DIODES	25+	DFN-3	3675	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
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更多SBRT2M10LP供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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