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SBRT25M50SLP	文件：399.89 Kbytes Page：5 Pages	25A TrenchSBR TRENCH SUPER BARRIER RECTIFIER POWERDI®5060 Features Reducedlowforwardvoltagedrop(VF);Betterefficiencyand cooleroperation. Reducedhightemperaturereverseleakage;Increasedreliability againstthermalrunawayfailureinhightemperatureoperation. Lessthan1.1mmpackageprofile–idealforthinapplications. Lead-FreeFini	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
SBRT25M50SLP	文件：300 bytes Page：1 Pages	高效能 (SBRT); Packaged in the compact thermally efficient POWERDI5060-8 package, the SBRT25M50SLP provides low VF and excellent reverse leakage stability at high temperatures. It is ideal for use as a rectifier, freewheel diode or blocking diodes.	DiodesDiodes Incorporated 美台半导体	Diodes
SBRT25M50SLP-13	文件：399.89 Kbytes Page：5 Pages	Marking：SBRT25M50；Package：POWERDI5060-8；25A TrenchSBR TRENCH SUPER BARRIER RECTIFIER POWERDI®5060 Features Reducedlowforwardvoltagedrop(VF);Betterefficiencyand cooleroperation. Reducedhightemperaturereverseleakage;Increasedreliability againstthermalrunawayfailureinhightemperatureoperation. Lessthan1.1mmpackageprofile–idealforthinapplications. Lead-FreeFini	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
SBRT25M50SLP_15	文件：399.89 Kbytes Page：5 Pages	25A TrenchSBR TRENCH SUPER BARRIER RECTIFIER POWERDI짰5060	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
SBRT25M50SLP-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-PowerTDFN；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SBR 50V 25A POWERDI5	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM

技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
Standard (Q on Request)
Configuration：
Single
MaximumAverageRectifiedCurrent IO (A)：
25 A
Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)：
50 V
Peak ForwardSurge CurrentIFSM (A)：
220 A
Forward Voltage Drop VF (V)：
0.55
@ IF (A)：
25 A
Maximum ReverseCurrent IR (µA)：
120 µA
@ VR (V)：
50 V
Packages：
PowerDI5060-8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SBRT25M50SLP供应商更新时间2025-7-28 9:11:00

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