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SBRT20M60CT中文资料20A TRENCH SUPER BARRIER RECTIFIER数据手册Diodes规格书

厂商型号 |
SBRT20M60CT |
参数属性 | SBRT20M60CT 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE SBR 60V 10A TO220AB |
功能描述 | 20A TRENCH SUPER BARRIER RECTIFIER |
封装外壳 | TO-220-3 |
制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
中文名称 | 美台半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-27 15:01:00 |
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SBRT20M60CT规格书详情
描述 Description
Packaged in the robust industry standard TO220AB package, the SBRT20M60CT provides low VF and excellent reverse leakage stability at high temperatures.
特性 Features
Reduced Low Forward Voltage Drop (VF). Better Efficiency and Cooler Operation
Reduced High Temperature Reverse Leakage
Increased Reliability Against Thermal Runaway Failure in High Temperature Operation
应用 Application
DC-DC Converters
AC-DC Adaptors
简介
SBRT20M60CT属于分立半导体产品的二极管-整流器-阵列。由制造生产的SBRT20M60CT二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管,并增加了“二极管配置”属性,该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意,具有全桥配置的阵列被专门排除在外,并列为单独的产品系列。
技术参数
更多- 制造商编号
:SBRT20M60CT
- 生产厂家
:Diodes
- Automotive Compliant PPAP
:No
- Configuration
:Dual
- Maximum Average Rectified Current IO
:20 A
- @ Terminal Temperature TT
:- ºC
- Peak Repetitive Reverse Voltage VRRM
:60 V
- Peak Forward Surge Current IFSM
:210 A
- Forward Voltage Drop VF (V)
:0.6
- @ IF
:10 A
- Maximum Reverse Current IR
:150 µA
- @ VR
:60 V
- Reverse Recovery Time trr
:- ns
- Total Capacitance CT
:- pF
- Packages
:TO220AB
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Diodes Inc |
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