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SBRT10U60D1中文资料高效能 (SBRT)数据手册Diodes规格书

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厂商型号

SBRT10U60D1

参数属性

SBRT10U60D1 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SBR 60V 10A TO252

功能描述

高效能 (SBRT)
DIODE SBR 60V 10A TO252

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-27 17:01:00

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SBRT10U60D1规格书详情

描述 Description

Packaged in the robust industry-standard TO252 package, the

SBRT10U60D1 provides very low VF and excellent reverse

leakage stability at high temperatures.

特性 Features

Reduced Ultra-Low Forward Voltage Drop (VF).
Better Efficiency and Cooler Operation.
Reduced High Temperature Reverse Leakage.
Increased Reliability Against Thermal Runaway Failure in High
Temperature Operation.

简介

SBRT10U60D1属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的SBRT10U60D1二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :SBRT10U60D1

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Compliance (Only Automotive supports PPAP)

    :Standard

  • Configuration

    :Single

  • MaximumAverageRectifiedCurrent IO (A)

    :10 A

  • Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)

    :60 V

  • Peak ForwardSurge CurrentIFSM (A)

    :140 A

  • Forward Voltage Drop VF (V)

    :0.52

  • @ IF (A)

    :10 A

  • Maximum ReverseCurrent IR (µA)

    :400 µA

  • @ VR (V)

    :60 V

  • Packages

    :TO252 (DPAK)

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