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SBR10120CTL	文件：80.34 Kbytes Page：4 Pages	SUPER BARRIER RECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
SBR10120CTL_15	文件：80.34 Kbytes Page：4 Pages	10A SBR짰 SUPER BARRIER RECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
SBR10120CTL-13	文件：80.34 Kbytes Page：4 Pages	SUPER BARRIER RECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
SBR10120CTL-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY SBR 120V 5A TO252-3	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
SBT10120CG	文件：2.21626 Mbytes Page：5 Pages	10ALOWVFSCHOTTKYRECTIFIER	DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司	DYELEC
SBT10120CK	文件：2.21626 Mbytes Page：5 Pages	10ALOWVFSCHOTTKYRECTIFIER	DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司	DYELEC
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SBT10120LCT	文件：171.6 Kbytes Page：4 Pages	ULTRALOWVFSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
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详细参数

型号：
SBR10120CTL
功能描述：
MOSFET Super Barrier Rectif TO252 T&R 2.5K
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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