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SBL1030CT-E3/45	文件：156.64 Kbytes Page：5 Pages	Dual Common-Cathode Schottky Rectifier FEATURES • Guardring for overvoltage protection • Lower power losses, high efficiency • Low forward voltage drop • High forward surge capability • High frequency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder dip 260 °C, 文件：156.64 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SBL1030CT-E3SLASH45	文件：156.64 Kbytes Page：5 Pages	Dual Common-Cathode Schottky Rectifier FEATURES • Guardring for overvoltage protection • Lower power losses, high efficiency • Low forward voltage drop • High forward surge capability • High frequency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder dip 260 °C, 文件：156.64 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SBL1030CTHE3/45	文件：156.64 Kbytes Page：5 Pages	Dual Common-Cathode Schottky Rectifier FEATURES • Guardring for overvoltage protection • Lower power losses, high efficiency • Low forward voltage drop • High forward surge capability • High frequency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder dip 260 °C, 文件：156.64 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SBL1030CTHE3SLASH45	文件：156.64 Kbytes Page：5 Pages	Dual Common-Cathode Schottky Rectifier FEATURES • Guardring for overvoltage protection • Lower power losses, high efficiency • Low forward voltage drop • High forward surge capability • High frequency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder dip 260 °C, 文件：156.64 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SBL1030-E3/45	文件：142.66 Kbytes Page：5 Pages	Schottky Barrier Rectifier FEATURES • Power pack • Guardring for overvoltage protection • Low power loss, high efficiency • Low forward voltage drop • High forward surge capability • High frequency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperatur 文件：142.66 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SBL1030HE3/45	文件：142.66 Kbytes Page：5 Pages	Schottky Barrier Rectifier FEATURES • Power pack • Guardring for overvoltage protection • Low power loss, high efficiency • Low forward voltage drop • High forward surge capability • High frequency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperatur 文件：142.66 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SBL1030HE3SLASH45	文件：142.66 Kbytes Page：5 Pages	Schottky Barrier Rectifier FEATURES • Power pack • Guardring for overvoltage protection • Low power loss, high efficiency • Low forward voltage drop • High forward surge capability • High frequency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperatur 文件：142.66 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SBL1030L	文件：60.73 Kbytes Page：2 Pages	10A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Features ● Guard Ring Die Construction for Transient Protection ● Low Power Loss, High Efficiency ● High Surge Capability ● Very Low Forward Voltage Drop ● For Use in Low Voltage, High Frequency Inverters, Free Wheeling, and Polarity Protection Applications ● Plastic Material: UL 文件：60.73 Kbytes 页数：2 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
SBL1030L	文件：912 Kbytes Page：2 Pages	10 Amp Schottky Barrier Rectifier 25 to 30 Volts Features • Low Power Loss • High Efficiency • Low Forward Voltage • High surge capacity • High Current Capability 文件：912 Kbytes 页数：2 Pages	MCC	MCC
SBL1035	文件：65.89 Kbytes Page：2 Pages	10A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Features • Schottky Barrier Chip • Guard Ring Die Construction for Transient Protection • Low Power Loss, High Efficiency • High Surge Capability • High Current Capability and Low Forward Voltage Drop • For Use in Low Voltage, High Frequency Inverters, Free Wheeling, and Polarity Protec 文件：65.89 Kbytes 页数：2 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

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技术参数

Maximum Frequency：
18 GHz
Gain：
28 dB
Noise Figure：
2.5 dB
P1dB：
+15 dBm
Input Return Loss：
7 dB
Output Return Loss：
7 dB
DC Bias：
+12 VDC/160 mA
RF Input/Output：
SMA (F)

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