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SBC857ALT1G

General Purpose Transistors

文件:154.41 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

SBC857ALT1G

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3

ONSEMI

安森美半导体

S-LBC857ALT1G

General Purpose Transistors PNP Silicon

文件:666.6 Kbytes 页数:7 Pages

LEIDITECH

雷卯电子

BC857ALT1

General Purpose Transistors

General Purpose Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available

文件:109.14 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BC857ALT1

General Purpose Transistors(PNP Silicon)

General Purpose Transistors PNP Silicon

文件:211.86 Kbytes 页数:5 Pages

LRC

乐山无线电

BC857ALT1

CASE 318-08, STYLE 6 SOT-23 (TO-236AB)

General Purpose Transistors PNP Silicon

文件:249.88 Kbytes 页数:8 Pages

Motorola

摩托罗拉

产品属性

  • 产品编号:

    SBC857ALT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    650mV @ 5mA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    15nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    125 @ 2mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
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更多SBC857ALT1G供应商 更新时间2025-12-4 8:12:00