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SBAS21DW5	文件：110.37 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode Features • NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：110.37 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SBAS21DW5	文件：110.32 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode 文件：110.32 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SBAS21DW5T1G	文件：110.37 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode Features • NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：110.37 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SBAS21DW5T1G	文件：75.93 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode Features • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant • S and NSV Prefixes for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable 文件：75.93 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SBAS21DW5T3G	文件：75.93 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode Features • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant • S and NSV Prefixes for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable 文件：75.93 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SBAS21DW5T3G	文件：110.37 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode Features • NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：110.37 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SBAS21DW5T1G	文件：110.32 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode 文件：110.32 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SBAS21DW5T1G	文件：300 bytes Page：1 Pages	二极管 - 通用，功率，开关 SS DL HIVLT SWCH DIO	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SBAS21DW5T1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY GP 250V 200MA SC88A	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SBAS21DW5T3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY 250V 200MA SC88A	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
SBAS21DW5
功能描述：
DIODE SWITCH 200MA 250V SOT353
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> 二极管，整流器 - 阵列
系列：
-
其它有关文件：
STTH10LCD06C View All Specifications
标准包装：
1,000
系列：
- 电压 - 在 If
时为正向(Vf)（最大）：
2V @ 5A 电流 - 在 Vr
时反向漏电：
1µA @ 600V 电流 -
平均整流(Io)（每个二极管）：
5A 电压
-(Vr)（最大）：
600V
反向恢复时间(trr)：
50ns
二极管类型：
标准
速度：
快速恢复 = 200mA（Io）
二极管配置：
1 对共阴极
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装：
D2PAK
包装：
带卷(TR)
产品目录页面：
1553(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
497-10107-2

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