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SB07-03C-TB-E	文件：321.4 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyBarrierDiode30V,0.7A,LowIR,SingleCP Features •Lowforwardvoltage(VFmax=0.55V) •Fastreverserecoverytime(trrmax=10ns) •Lowswitchingnoise •Lowleakagecurrentandhighreliabilityduetohighlyreliableplanarstructure Applications •Highfrequencyrectification(switchingregulators,converters,choppers)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SB07-03N	文件：107.68 Kbytes Page：2 Pages	30V,700mARectifier 30V,700mARectifier Features •Lowforwardvoltage(VFmax=0.55V). •Fastreverserecoverytime(trrmax=10ns). •Lowswitchingnoise. •Lowleakagecurrentandhighreliabilityduetohighlyreliableplanarstructure. Applications •Highfrequencyrectification(switchingregulators,conv	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
SB07-03P	文件：322.54 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyBarrierDiode Features •Lowforwardvoltage(VFmax=0.55V) •Fastreverserecoverytime(trrmax=10ns) •Lowswitchingnoise •Lowleakagecurrentandhighreliabilityduetohighlyreliableplanarstructure Applications •Highfrequencyrectification(switchingregulators,converters,choppers)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SB07-03P	文件：31.83 Kbytes Page：3 Pages	30V,700mARectifier	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
SB07-03P	文件：59.51 Kbytes Page：2 Pages	30V,700mARectifier 30V,700mARectifier Features •Lowforwardvoltage(VFmax=0.55V) •Fastreverserecoverytime(trrmax=10ns) •Lowswitchingnoise •Lowleakagecurrentandhighreliabilityduetohighlyreliableplanarstructure Applications •Highfrequencyrectification(switchingregulators,converte	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
SB07-03P-TD-E	文件：322.54 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyBarrierDiode Features •Lowforwardvoltage(VFmax=0.55V) •Fastreverserecoverytime(trrmax=10ns) •Lowswitchingnoise •Lowleakagecurrentandhighreliabilityduetohighlyreliableplanarstructure Applications •Highfrequencyrectification(switchingregulators,converters,choppers)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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