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SB07-03P-TD-E	文件：322.54 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyBarrierDiode Features •Lowforwardvoltage(VFmax=0.55V) •Fastreverserecoverytime(trrmax=10ns) •Lowswitchingnoise •Lowleakagecurrentandhighreliabilityduetohighlyreliableplanarstructure Applications •Highfrequencyrectification(switchingregulators,converters,choppers)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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