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SB	文件：229.32 Kbytes Page：12 Pages	型号：74LV1T32GV；Package：SOT753；2-input single supply translating OR gate 1.Generaldescription The74LV1T32isasingle,leveltranslating2-inputORgate.Thelowthresholdinputssupport1.8V inputlogicatVCC=3.3Vandcanbeusedin1.8Vto3.3Vleveluptranslation.Inaddition,the5V tolerantinputpinsenableleveldowntranslation(3.3Vto2.5Vou	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
SB	文件：229.32 Kbytes Page：12 Pages	型号：74LV1T32GW；Package：SOT353-1；2-input single supply translating OR gate 1.Generaldescription The74LV1T32isasingle,leveltranslating2-inputORgate.Thelowthresholdinputssupport1.8V inputlogicatVCC=3.3Vandcanbeusedin1.8Vto3.3Vleveluptranslation.Inaddition,the5V tolerantinputpinsenableleveldowntranslation(3.3Vto2.5Vou	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
SB	文件：229.32 Kbytes Page：12 Pages	型号：74LV1T32GX；Package：SOT1226-3；2-input single supply translating OR gate 1.Generaldescription The74LV1T32isasingle,leveltranslating2-inputORgate.Thelowthresholdinputssupport1.8V inputlogicatVCC=3.3Vandcanbeusedin1.8Vto3.3Vleveluptranslation.Inaddition,the5V tolerantinputpinsenableleveldowntranslation(3.3Vto2.5Vou	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
SB	文件：1.58605 Mbytes Page：16 Pages	型号：BSS138BK；Package：TO-236AB；60 V, 360 mA N-channel Trench MOSFET 1.1Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFET technology. 1.2Featuresandbenefits Logic-levelcompatible Veryfastswitching TrenchMOSFETtechnology ES	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
SB	文件：988.38 Kbytes Page：13 Pages	型号：BZX84J-B13；Package：SOD323F；Single Zener diodes 1.1Generaldescription General-purposeZenerdiodesinaSOD323F(SC-90)verysmallandflatlead Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 1.2Featuresandbenefits 1.3Applications Generalregulationfunctions Non-repetitivepeakreversepower dissipation:40W Wideworking	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
SB	文件：310.63 Kbytes Page：13 Pages	型号：BZX84J-B13-Q；Package：SOD323F；Zener voltage regulator diodes 1.Generaldescription General-purposeZenerdiodesinaSOD323F(SC-90)verysmallandflatleadSurface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Non-repetitivepeakreversepowerdissipation:≤100Wfortypes≤6.8V •Non-repetitivepeakreversepowerdissipation	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
SB	文件：115.58 Kbytes Page：5 Pages	型号：KDZ9.1B；Package：PMDU；Zener diode Features Smallpowermoldtype.(PMDU) HighESDtolerance Applications Voltageregulation Construction Siliconepitaxialplanar	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
SB	文件：116.03 Kbytes Page：5 Pages	型号：KDZ9.1B；Package：PMDU；Zener diode Features Smallpowermoldtype.(PMDU) HighESDtolerance Applications Voltageregulation Construction Siliconepitaxialplanar	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
SB	文件：117.65 Kbytes Page：5 Pages	型号：KDZ9.1B；Package：PMDU；Zener diode Features Smallpowermoldtype.(PMDU) HighESDtolerance Applications Voltageregulation Construction Siliconepitaxialplanar	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
SB	文件：115.56 Kbytes Page：5 Pages	型号：KDZ9.1B；Package：PMDU；Zener diode Features Smallpowermoldtype.(PMDU) HighESDtolerance Applications Voltageregulation Construction Siliconepitaxialplanar	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

详细参数

型号：
SB
功能描述：
TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 150Vr 400W 1.6A 10% UniDirectional
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
极性：
Bidirectional
击穿电压：
58.9 V
钳位电压：
77.4 V
峰值浪涌电流：
38.8 A
封装/箱体：
DO-214AB
最小工作温度：
- 55 C
最大工作温度：
+ 150 C

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	SMAJ150	VISHAY/GeneralSemiconduc	24+	DO-214	9800	新进库存/原装	询价
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