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S8550

丝印:2TY;Package:SOT-23;Silicon Epitaxial Planar Transistor

文件:314.09 Kbytes 页数:4 Pages

BILIN

银河微电

S8550

丝印:2TY;Package:SOT-23;Small and medium-sized power amplifier, medium power drive and switching applications

文件:164.85 Kbytes 页数:3 Pages

RECTRON

丽正国际

S8550

LOW VOLTAGE HIGH CURRENT SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR

文件:138.86 Kbytes 页数:4 Pages

UTC

友顺

S8550

PNP小信号三极管

CBI

创基电子

S8550

晶体管

JSCJ

长晶科技

S8550

Transistor

GoalTop

高特

GoalTop

S8550-H

丝印:2TY;Package:SOT-23;PNP Transistors

Features ● Collector current: IC-=0.5A

文件:518.2 Kbytes 页数:3 Pages

YFWDIODE

佑风微

S8550-J

丝印:2TY;Package:SOT-23;PNP Transistors

Features ● Collector current: IC-=0.5A

文件:518.2 Kbytes 页数:3 Pages

YFWDIODE

佑风微

S8550-L

丝印:2TY;Package:SOT-23;PNP Transistors

Features ● Collector current: IC-=0.5A

文件:518.2 Kbytes 页数:3 Pages

YFWDIODE

佑风微

S8550LT1

HIGH VOLTAGE TRANSISTOR: (PNP)

FEATURES Die Size 0.44*0.44mm Power dissipation PCM : 225mW(Tamb=25℃) Collector current ICM : 0.5A Collector-base voltage V(BR)CBO : 40V

文件:85.69 Kbytes 页数:1 Pages

WINGS

永盛电子

技术参数

  • Polarity:

    PNP

  • PC_Max (mW):

    300

  • IC_Max (mA):

    500

  • V(BR)CBO_Min (V):

    40

  • V(BR)CEO_Min (V):

    25

  • V(BR)EBO (V):

    5

  • hFE_Min:

    120

  • hFE_Max:

    400

  • @ VCE (V):

    1

  • VCE(sat)_Max (V):

    0.6

  • @ IC (mA):

    500

  • @ IB (mA):

    50

  • fT_Min (MHz):

    150

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更多S8550供应商 更新时间2025-9-18 9:31:00