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S8550LT1

HIGH VOLTAGE TRANSISTOR: (PNP)

FEATURES Die Size 0.44*0.44mm Power dissipation PCM : 225mW(Tamb=25℃) Collector current ICM : 0.5A Collector-base voltage V(BR)CBO : 40V

文件:85.69 Kbytes 页数:1 Pages

WINGS

永盛电子

S8550LT1

贴片晶体管

Nanjing

南晶电子

S8550LT1-2TY

三极管(BJT)

Fenghua

风华高科

S8550LT1G

通用三极管

STAR-WING

星荣半导体

技术参数

  • Ic(mA):

    500

  • BVCBO(V):

    40

  • BVCEO(V):

    25

  • BVEBO(V):

    5

  • Min:

    120

  • Max:

    350

  • VCE(sat)(v):

    1

  • Package Outline:

    SOT-23

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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2025+
SOT-23
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SOT-23
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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更多S8550LT1供应商 更新时间2025-10-13 14:10:00