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N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAON6426LcombinesadvancedtrenchMOSFETtechnologywithalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).Thisdeviceisidealforloadswitchandbatteryprotectionapplications. -RoHSCompliant -HalogenFree Features VDS(V)=30V ID=24A(VGS= | AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体 | AOSMD | ||
DFN5X6PACKAGEMARKINGDESCRIPTION | AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体 | AOSMD | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,4.6A,RDS(ON)=90mW@VGS=10V. RDS(ON)=110mW@VGS=4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-89package. Leadfreeproductisacquired. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司 | CET-MOS | ||
N-Channel0-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET APPLICATIONS •LoadSwitchesforPortableDevices | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,3A,RDS(ON)=90mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=110mΩ@VGS=4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-89package. | CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司 | CET | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,17A,RDS(ON)=66mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=85mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package. | CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司 | CET | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,16A,RDS(ON)=66mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=85mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package. | CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司 | CET | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,16A,RDS(ON)=66mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS( Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=85mW@VGS=4.5V. Leadfreeproductisacquired. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司 | CET-MOS | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,4.7A,RDS(ON)=66mW@VGS=10V. RDS(ON)=85mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Leadfreeproductisacquired. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司 | CET-MOS | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,4.7A,RDS(ON)=66mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=85mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■SurfacemountPackage. | CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司 | CET |
产品属性
- 产品编号：
S6426
- 制造商：
Heyco Products Corporation
- 类别：
电缆，电线 - 管理 > 电缆扎带和束线带
- 系列：
Heyco® SunBundler®
- 包装：
盒
- 电线/电缆扎带类型：
标准，锁定
- 长度 - 大约：
28"
- 线束直径：
8.59"（218.19mm）
- 长度 - 实际：
2.333'（711.20mm）
- 安装类型：
自由悬挂
- 拉伸强度：
100 磅（45.36 kg）
- 材料：
304 不锈钢
- 颜色：
黑色
- 描述：
SUNBUNDLER 28 100/BAG
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TOSHIBA/东芝 |
23+ |
MODULE |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
TOSHIBA |
24+ |
MODULE |
2100 |
一级代理/全新原装现货 供应!!! |
询价 | ||
HAMAMATSU |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
12+ |
DIPSOP |
27120 |
原装现货 |
询价 | |||
HAMAMATSU/滨松 |
21+ |
原厂原封 |
5000 |
全新原装 现货 价优 |
询价 | ||
Hamamatsu |
23+ |
sensor |
266 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
Hamamatsu |
24+ |
sensor |
56000 |
公司进口原装现货 批量特价支持 |
询价 | ||
Hamamatsu |
20+ |
sensor |
266 |
进口原装现货,假一赔十 |
询价 | ||
24+ |
3000 |
自己现货 |
询价 | ||||
SAMSUNG |
2020+ |
QFP |
2000 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 |
