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S52	文件：239.05 Kbytes Page：7 Pages	型号：FJY4002R；Package：SOT-523F；PNP Epitaxial Silicon Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
S5240Z	文件：717.69 Kbytes Page：14 Pages	型号：PBSS5240Z；Package：SC-73；40 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinamediumpowerSOT223(SC-73)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4240Z Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapabilit	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
S520F	文件：3.08487 Mbytes Page：3 Pages	型号：S520F；Package：SMAF；Surface Mount Schottky Rectifiers Features Lowprofilepackage Idealforautomatedplacement Guardringforovervoltageprotection Lowpowerlosses,highefficiency Highforwardsurgecapability MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of260°C	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
S52F	文件：3.08487 Mbytes Page：3 Pages	型号：S52F；Package：SMAF；Surface Mount Schottky Rectifiers Features Lowprofilepackage Idealforautomatedplacement Guardringforovervoltageprotection Lowpowerlosses,highefficiency Highforwardsurgecapability MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of260°C	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
S520B	文件：472.81 Kbytes Page：4 Pages	型号：SS520BF-HF；Package：SMBF；SMD Schottky Barrier Rectifiers Features -Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction. -Forsurfacemountedapplications. -Lowpowerloss,highefficiency. -Highforwardsurgecurrentcapability. -Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters, freewheeling,andpolarityprotectionapplications.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
S520B	文件：2.3595 Mbytes Page：4 Pages	型号：SS520BGF；Package：SMBF；Surface Mount Schottky Barrier Rectifier Features Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction Forsurfacemountedapplications Lowpowerloss,highefficiency Highforwardsurgecurrentcapability Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters, freewheeling,andpolarityprotectionapplications	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
S52B	文件：2.3595 Mbytes Page：4 Pages	型号：SS52BGF；Package：SMBF；Surface Mount Schottky Barrier Rectifier Features Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction Forsurfacemountedapplications Lowpowerloss,highefficiency Highforwardsurgecurrentcapability Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters, freewheeling,andpolarityprotectionapplications	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
S52892	文件：3.0491 Mbytes Page：37 Pages	型号：TPS552892RYQR；Package：VQFN-HR；TPS552892 36-V, 8-A, Fully Integrated Buck-boost Converter 1Features •Wideinputandoutputvoltagerange –Wideinputvoltagerange:3.0Vto36V –Programmableoutputvoltagerange:0.8Vto 22V –±1referencevoltageaccuracy –Adjustableoutputvoltagecompensationfor voltagedroopoverthecable –±5accurateoutputcurrentmonitoring •	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
S520B	文件：403.15 Kbytes Page：3 Pages	型号：SS520BF；Package：SMBF；Surface Mount Schottky Barrier Rectifier	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
S520B	文件：415.32 Kbytes Page：3 Pages	型号：SS520BF；Package：SMBF；Surface Mount Schottky Barrier Rectifier	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY

详细参数

型号：
S52
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 Trans Pre-Biased PNP 50V R1_10K R2_10
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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