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S4D02120A	文件：1.49179 Mbytes Page：9 Pages	1200V SIC POWER SCHOTTKY RECTIFIERS 175°CTJoperation Ultra-lowswitchingloss Switchingspeedsindependentofoperatingtemperature Lowtotalconductionlosses Highforwardsurgecurrentcapability Highpackageisolationvoltage Terminalsfinish:100PureTin “-A”isanAEC-Q101qualifieddevice Pb−FreeDevice AllSMCp	SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE
S4D02120A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-2；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S	SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE
C4D02120A	文件：1.28006 Mbytes Page：9 Pages	4thGeneration1200V,2ASiliconCarbideSchottkyDiode Description WiththeperformanceadvantagesofaSiliconCarbide(SiC) SchottkyBarrierdiode,powerelectronicssystemscanexpect tomeethigherefficiencystandardsthanSi-basedsolutions, whilealsoreachinghigherfrequenciesandpowerdensities. SiCdiodescanbeeasilyparalleledtom	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
C4D02120A	文件：550.65 Kbytes Page：5 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode Z-REC™RECTIFIERSandZERO-RECOVERY®RECTIFIERS SILICONCARBIDEZ-FET™MOSFET	CreeCree, Inc 科锐	Cree
C4D02120E	文件：896.36 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiodeZ-Rec®Rectifier Features •1.2kVSchottkyRectifier •ZeroReverseRecoveryCurrent •High-FrequencyOperation •Temperature-IndependentSwitching •ExtremelyFastSwitching •PositiveTemperatureCoefficientonVF Benefits •ReplaceBipolarwithUnipolarRectifiers •EssentiallyNoSwitchingLosses •H	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
C4D02120E	文件：680.15 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode Z-REC™RECTIFIERSandZERO-RECOVERY®RECTIFIERS SILICONCARBIDEZ-FET™MOSFET	CreeCree, Inc 科锐	Cree
E4D02120E	文件：295 Kbytes Page：3 Pages	SICSchottkyRectifier DESCRIPTION ·LowForwardVoltage(VF)DropwithPositive TemperatureCoefficient ·ZeroReverseRecoveryCurrent ForwardRecoveryVoltage APPLICATIONS ·AutomotivePowerConverstion ·BoostDiodesinPFC ·BootstrapDiode	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
E4D02120E	文件：715.53 Kbytes Page：6 Pages	4thGeneration1200V,2ASiliconCarbideSchottkyDiode Description WiththeperformanceadvantagesofaSiliconCarbide(SiC) SchottkyBarrierdiode,powerelectronicssystemscanexpect tomeethigherefficiencystandardsthanSi-basedsolutions, whilealsoreachinghigherfrequenciesandpowerdensities. SiCdiodescanbeeasilyparalleledtom	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
S4D02120E	文件：1.49179 Mbytes Page：9 Pages	1200VSICPOWERSCHOTTKYRECTIFIERS 175°CTJoperation Ultra-lowswitchingloss Switchingspeedsindependentofoperatingtemperature Lowtotalconductionlosses Highforwardsurgecurrentcapability Highpackageisolationvoltage Terminalsfinish:100PureTin “-A”isanAEC-Q101qualifieddevice Pb−FreeDevice AllSMCp	SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE
S4D02120ETR	文件：1.49179 Mbytes Page：9 Pages	1200VSICPOWERSCHOTTKYRECTIFIERS 175°CTJoperation Ultra-lowswitchingloss Switchingspeedsindependentofoperatingtemperature Lowtotalconductionlosses Highforwardsurgecurrentcapability Highpackageisolationvoltage Terminalsfinish:100PureTin “-A”isanAEC-Q101qualifieddevice Pb−FreeDevice AllSMCp	SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE

产品属性

产品编号：
S4D02120A
制造商：
SMC Diode Solutions
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
管件
二极管类型：
碳化硅肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
2A
速度：
无恢复时间 > 500mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
116pF @ 0V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-2
供应商器件封装：
TO-220AC（TO-220-2）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 175°C
描述：
DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

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