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S3584-08	文件：300 bytes Page：1 Pages	大受光面积光电二极管 \n-与 BGO和CsI闪烁体搭配，高灵敏度(TI)\n-低电容\n-高速响应\n-高可靠性\n-较好的能量分辨率;	Hamamatsu 滨松光子	Hamamatsu
S3584-08	文件：130.08 Kbytes Page：2 Pages	Si PIN photodiode Large area sensors for scintillation detection 文件：130.08 Kbytes 页数：2 Pages	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
S3773C	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP7	深微上传：深圳市粤华信科技有限公司	深微
S3AB-13-F	文件：0 bytes Page：0 Pages	SMB	DIODES 美台半导体上传：深圳市佳杰伟业科技有限公司	DIODES
S3B-EH(LF)(SN)	文件：0 bytes Page：0 Pages	/	JST JST集团上传：深圳市骏创达科技有限公司	JST

技术参数

象元数：
1
封装：
陶瓷
反偏电压（最大）：
100V
光谱响应范围：
340 to 1100 nm
峰值波长：
960 nm
灵敏度：
0.66 A/W
暗电流：
30000 pA
截止频率：
10 MHz
结电容：
300 pF
测试条件：
Ta=25 ℃，除非特别说明均为典型值。灵敏度：λ=960 nm，暗电流： VR=70 V，截止频率： VR=70 V，结电容： VR=70 V

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更多S3584-08供应商更新时间2025-12-1 15:02:00

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