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S34MS02G104	文件：779.06 Kbytes Page：6 Pages	1-Bit ECC 文件：779.06 Kbytes 页数：6 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
S34MS02G104BHB013	文件：300 bytes Page：1 Pages	Memories for Embedded Systems - NAND Flash Memory - 1Gb – 4Gb 1.8V (MS-1) High Reliability, SLC NAND Flash Memory -	Infineon 英飞凌	Infineon
S34MS02G104BHI010	文件：300 bytes Page：1 Pages	Memories for Embedded Systems - NAND Flash Memory - 1Gb – 4Gb 1.8V (MS-1) High Reliability, SLC NAND Flash Memory -	Infineon 英飞凌	Infineon
S34MS02G104BHV010	文件：300 bytes Page：1 Pages	Memories for Embedded Systems - NAND Flash Memory - 1Gb – 4Gb 1.8V (MS-1) High Reliability, SLC NAND Flash Memory -	Infineon 英飞凌	Infineon
S34MS02G104BHB013	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：63-VFBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63BGA	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
S34MS02G104BHI010	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：63-VFBGA；包装：散装类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63BGA	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
S34MS02G104BHV010	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：63-VFBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63BGA	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS

技术参数

Density (Gbit)：
2
Initial Access Time (ns)：
0
Interface：
ONFI 1.0
Interface Bandwidth (MBps)：
40
Interface Frequency (SDR / DDR) (MHz)：
NA
Operating Voltage (V)：
1.8
Page Access Time (ns)：
0
Series：
MS-1
Tape & Reel：
Y
Temperature Range (Min C to Max C)：
-40C to +105C

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更多S34MS02G104供应商更新时间2026-1-26 15:10:00

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