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S34MS02G104BHI010数据手册集成电路(IC)的存储器规格书PDF

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厂商型号

S34MS02G104BHI010

参数属性

S34MS02G104BHI010 封装/外壳为63-VFBGA;包装为散装;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63BGA

功能描述

Memories for Embedded Systems - NAND Flash Memory - 1Gb – 4Gb 1.8V (MS-1) High Reliability, SLC NAND Flash Memory -

封装外壳

63-VFBGA

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 18:28:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :S34MS02G104BHI010

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Density (Gbit)

    :2

  • Initial Access Time (ns)

    :0

  • Interface

    :ONFI 1.0

  • Interface Bandwidth (MBps)

    :40

  • Interface Frequency (SDR / DDR) (MHz)

    :NA

  • Operating Voltage (V)

    :1.8

  • Page Access Time (ns)

    :0

  • Series

    :MS-1

  • Tape & Reel

    :Y

  • Temperature Range (Min C to Max C)

    :-40C to +85C

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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