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丝印:S2E65H;Package:TO-220-2L;SiC Schottky Barrier Diode Applications • Power Factor Correction • Solar Inverters • Uninterruptible Power Supplies • DC-DC Converters Features (1) Chip design of 3rd generation (2) Low forward voltage : VF = 1.2 V (typ.) (3) Low total capacitive charge: Qc = 6.5 nC (typ.) (4) Low reverse current: IR = 0.2 μA (typ 文件:443.15 Kbytes 页数:7 Pages  | TOSHIBA 东芝  | TOSHIBA  | 
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 | 
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            更新时间2025-11-4 15:02:00
        
        
