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TRS2E65H

Marking:S2E65H;Package:TO-220-2L;SiC Schottky Barrier Diode

Applications •PowerFactorCorrection •SolarInverters •UninterruptiblePowerSupplies •DC-DCConverters Features (1)Chipdesignof3rdgeneration (2)Lowforwardvoltage:VF=1.2V(typ.) (3)Lowtotalcapacitivecharge:Qc=6.5nC(typ.) (4)Lowreversecurrent:IR=0.2μA(typ

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TRS2E65F

SiCSchottkyBarrierDiode

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

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更多TRS2E65H供应商 更新时间2025-7-12 14:01:00