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S29GL512N11TFIV20	文件：2.63199 Mbytes Page：100 Pages	3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit??Process Technology 512Megabit,256Megabit,and128Megabit,3.0Volt-onlyPageModeFlashMemoryfeaturing110nmMirrorBit™ProcessTechnology GeneralDescription TheS29GL512/256/128Nfamilyofdevicesare3.0Vsinglepowerflashmemorymanufacturedusing110nmMirrorBittechnology.TheS29GL512Nisa5	spansionSPANSION 飞索飞索半导体
S29GL512N11TFIV20	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：NOR FLASH PARALLEL 3V/3.3V 512M-	CYP Cypress Semiconductor Corp

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功能描述

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S29GL512N11TFIV20

文件：2.63199 Mbytes

Page：100 Pages

3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit??Process Technology

512Megabit,256Megabit,and128Megabit,3.0Volt-onlyPageModeFlashMemoryfeaturing110nmMirrorBit™ProcessTechnology GeneralDescription TheS29GL512/256/128Nfamilyofdevicesare3.0Vsinglepowerflashmemorymanufacturedusing110nmMirrorBittechnology.TheS29GL512Nisa5

spansionSPANSION

飞索飞索半导体

S29GL512N11TFIV20

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：托盘封装/外壳：56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：NOR FLASH PARALLEL 3V/3.3V 512M-

CYP

Cypress Semiconductor Corp

产品属性

产品编号：
S29GL512N11TFIV20
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
类别：
集成电路（IC） > 存储器
系列：
GL-N
包装：
托盘
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NOR
存储容量：
512Mb（32M x 16，64M x 8）
存储器接口：
CFI
写周期时间 - 字，页：
110ns
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
供应商器件封装：
56-TSOP
描述：
NOR FLASH PARALLEL 3V/3.3V 512M-

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