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S29GL512P10FFIR12

3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology

文件:2.73551 Mbytes 页数:77 Pages

spansion

飞索

S29GL512P10TFCR10

TSOP56

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飞索

上传:香港凯利国际有限公司

S29GL512P10TFIR10

TSOP-56

CYPRESS/赛普拉斯

上传:深圳庞田科技有限公司

CYPRESS/赛普拉斯

S29GL512P10TFIR10高频器件

TSOP-56

CYPRESS/赛普拉斯

上传:深圳庞田科技有限公司

CYPRESS/赛普拉斯

S29GL512P11TFI01

TSOP56

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飞索

上传:深圳市凌旭科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    S29GL512P10FFIR12

  • 功能描述:

    闪存 512M, 3V, 100ns Parallel NOR 闪存

  • RoHS:

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 数据总线宽度:

    1 bit

  • 存储类型:

    Flash

  • 存储容量:

    2 MB

  • 结构:

    256 K x 8

  • 接口类型:

    SPI

  • 电源电压-最大:

    3.6 V

  • 电源电压-最小:

    2.3 V

  • 最大工作电流:

    15 mA

  • 工作温度:

    - 40 C to + 85 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装:

    Reel

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多S29GL512P10FFIR12供应商 更新时间2025-10-20 15:15:00