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S29GL512S11DHI010	文件：3.05635 Mbytes Page：106 Pages	GL-S MirrorBit짰 Eclipse??Flash Non-Volatile Memory Family GL-SMirrorBit®Eclipse™FlashNon-VolatileMemoryFamily S29GL01GS1Gbit(128Mbyte) S29GL512S512Mbit(64Mbyte) S29GL256S256Mbit(32Mbyte) S29GL128S128Mbit(16Mbyte) CMOS3.0VoltCorewithVersatileI/O GeneralDescription TheSpansion®S29GL01G/512/256/128SareMirrorBi	spansionSPANSION 飞索飞索半导体	spansion
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S29GL512S11DHI010

文件：3.05635 Mbytes

Page：106 Pages

GL-S MirrorBit짰 Eclipse??Flash Non-Volatile Memory Family

GL-SMirrorBit®Eclipse™FlashNon-VolatileMemoryFamily S29GL01GS1Gbit(128Mbyte) S29GL512S512Mbit(64Mbyte) S29GL256S256Mbit(32Mbyte) S29GL128S128Mbit(16Mbyte) CMOS3.0VoltCorewithVersatileI/O GeneralDescription TheSpansion®S29GL01G/512/256/128SareMirrorBi

spansionSPANSION

飞索飞索半导体

spansion

S29GL512S11DHI010

文件：100 bytes

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Package：64-LBGA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA

Cypress Semiconductor Corp

产品属性

产品编号：
S29GL512S11DHI010
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
类别：
集成电路（IC） > 存储器
系列：
GL-S
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NOR
存储容量：
512Mb（32M x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
60ns
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
64-LBGA
供应商器件封装：
64-FBGA（9x9）
描述：
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA

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