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S25	文件：300 bytes Page：1 Pages	Schottky Diodes	DACO 罡境电子	DACO
S25	文件：300 bytes Page：1 Pages	肖特基二极管	YJ 益嘉源	YJ
74CBT1G125DBVRE4	文件：551.69 Kbytes Page：14 Pages	丝印：S25G；Package：SOT-23；SINGLE FET BUS SWITCH 5-Ω Switch Connection Between Two Ports TTL-Compatible Control Input Levels Latch-Up Performance Exceeds 250 mA Per JESD 17 ESD Protection Exceeds JESD 22 – 2000-V Human-Body Model (A114-A) – 200-V Machine Model (A115-A) description/ordering information The SN74CBT1G125 features a single 文件：551.69 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
74CBT1G125DBVRE4.A	文件：551.69 Kbytes Page：14 Pages	丝印：S25G；Package：SOT-23；SINGLE FET BUS SWITCH 5-Ω Switch Connection Between Two Ports TTL-Compatible Control Input Levels Latch-Up Performance Exceeds 250 mA Per JESD 17 ESD Protection Exceeds JESD 22 – 2000-V Human-Body Model (A114-A) – 200-V Machine Model (A115-A) description/ordering information The SN74CBT1G125 features a single 文件：551.69 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
SCTHS250N65G3AG	文件：301.65 Kbytes Page：12 Pages	丝印：S25N65G3PAG；Package：STPAK；Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 6.7 mΩ typ., 207 A in a STPAK package Features • AEC-Q101 qualified • Very low RDS(on) over the entire temperature range • High speed switching performances • Very fast and robust intrinsic body diode • Source sensing pin for increased efficiency Application • Main inverter (electric traction) Description This silicon carbide 文件：301.65 Kbytes 页数：12 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
SCTHS250N65G3TAG	文件：301.65 Kbytes Page：12 Pages	丝印：S25N65G3PAG；Package：STPAK；Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 6.7 mΩ typ., 207 A in a STPAK package Features • AEC-Q101 qualified • Very low RDS(on) over the entire temperature range • High speed switching performances • Very fast and robust intrinsic body diode • Source sensing pin for increased efficiency Application • Main inverter (electric traction) Description This silicon carbide 文件：301.65 Kbytes 页数：12 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
SN74CBT1G125DBVR	文件：551.69 Kbytes Page：14 Pages	丝印：S25G；Package：SOT-23；SINGLE FET BUS SWITCH 5-Ω Switch Connection Between Two Ports TTL-Compatible Control Input Levels Latch-Up Performance Exceeds 250 mA Per JESD 17 ESD Protection Exceeds JESD 22 – 2000-V Human-Body Model (A114-A) – 200-V Machine Model (A115-A) description/ordering information The SN74CBT1G125 features a single 文件：551.69 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
SN74CBT1G125DBVR.A	文件：551.69 Kbytes Page：14 Pages	丝印：S25G；Package：SOT-23；SINGLE FET BUS SWITCH 5-Ω Switch Connection Between Two Ports TTL-Compatible Control Input Levels Latch-Up Performance Exceeds 250 mA Per JESD 17 ESD Protection Exceeds JESD 22 – 2000-V Human-Body Model (A114-A) – 200-V Machine Model (A115-A) description/ordering information The SN74CBT1G125 features a single 文件：551.69 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
SN74CBT1G125DBVT	文件：551.69 Kbytes Page：14 Pages	丝印：S25J；Package：SOT-23；SINGLE FET BUS SWITCH 5-Ω Switch Connection Between Two Ports TTL-Compatible Control Input Levels Latch-Up Performance Exceeds 250 mA Per JESD 17 ESD Protection Exceeds JESD 22 – 2000-V Human-Body Model (A114-A) – 200-V Machine Model (A115-A) description/ordering information The SN74CBT1G125 features a single 文件：551.69 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
SN74CBT1G125DBVT.A	文件：551.69 Kbytes Page：14 Pages	丝印：S25J；Package：SOT-23；SINGLE FET BUS SWITCH 5-Ω Switch Connection Between Two Ports TTL-Compatible Control Input Levels Latch-Up Performance Exceeds 250 mA Per JESD 17 ESD Protection Exceeds JESD 22 – 2000-V Human-Body Model (A114-A) – 200-V Machine Model (A115-A) description/ordering information The SN74CBT1G125 features a single 文件：551.69 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI

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晶体管资料

型号：
S25-12
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
封装形式：
极限工作电压：
18V
最大电流允许值：
8A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
可代换的型号：
3DK108A,
最大耗散功率：
80W
放大倍数：
图片代号：
NO
vtest：
18
htest：
999900
atest：
8
wtest：
80

技术参数

VRM_Max (V)：
50
Io_Max(A)：
2
IFSM_Max(A)：
40
Rated lo(A)：
2
VF_Max(V)：
0.7
IR@25℃IR(uA)：
0.5
IR@100℃IR(uA)：
10
Cj(PF)：
130
Tj（℃）：
-55～+150
Status：
Active

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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