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SFT2012	文件：280 Kbytes Page：6 Pages	HIGHENERCYNPNTRANSISTOR [SSDI] 2N5094AND2N5096 HIGHVOLTAGEPNPTRANSISTOR450-500VOLTS SFT2010,SFT2012,SFT2014 200AMPHIGHENERGYNPNTRANSISTORVCEO100,120,140VOLTS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
SFT2012	文件：106.69 Kbytes Page：2 Pages	200AMP100-140VOLTSNPNTRANSISTOR 200AMP100–140VOLTSNPNTRANSISTOR Features: •BV(CBO)=250Voltsminimum •600WPowerDissipation •ExcellentSOACurve •Es/bof800mJ •Gainofover5at200A •HighRelConstructionincludingGoldEutecticDieMounting,AluminumWiring •PlanarChipConstructionwithLowLeakage	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SFT2012	文件：105.95 Kbytes Page：2 Pages	HighEnergyNPNTransistor 200AMP100–140VoltHighEnergyNPNTransistor Features: •BVCBO=250VMIN •600WattsPowerDissipation •ExcellentSOACurve •Es/bof800mJ •Gainofover5at200A •HighReliabilityConstruction •PlanarChipConstructionwithLowLeakageandVeryFastSwitching •TX,TXV,S-Leve	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SG2012	文件：534.33 Kbytes Page：9 Pages	400mA,LowPower,LowDropout,LinearRegulators GENERALDESCRIPTION TheSG2012low-power,low-dropout,CMOSlinearvoltageregulatorsoperatefroma2.5Vto5.5Vinputanddeliverupto400mA.Theyareperfectchoiceforlowvoltage,lowpowerapplications.Anultralowgroundcurrent(120µAat400mAoutput)makesthemattractiveforbatteryo	SGMICROSG Micro Corp 圣邦股份圣邦微电子（北京）股份有限公司	SGMICRO
SG2012	文件：98.49 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEMEDIUMCURRENTDRIVERARRAYS DESCRIPTION TheSG2000seriesintegratessevenNPNDarlingtonpairswithinternalsuppressiondiodestodrivelamps,relays,andsolenoidsinmanymilitary,aerospace,andindustrialapplicationsthatrequiresevereenvironments.Allunitsfeatureopencollectoroutputswithgreaterthan50Vbrea	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
SG2012	文件：194.27 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEMEDIUMCURRENTDRIVERARRAYS DESCRIPTION TheSG2000seriesintegratessevenNPNDarlingtonpairswithinternalsuppressiondiodestodrivelamps,relays,andsolenoidsinmanymilitary,aerospace,andindustrialapplicationsthatrequiresevereenvironments.Allunitsfeatureopencollectoroutputswithgreaterthan50Vbrea	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
SG2012	文件：242.74 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEMEDIUMCURRENTDRIVERARRAYS Description Crossreferenceto5962-86058012A,5962-86058012,86058012 TheSG2800seriesintegrateseightNPNDarlingtonpairswithinternalsuppressiondiodestodrivelamps,relays,andsolenoidsinmanymilitary,aerospace,andindustrialapplicationsthatrequiresevereenvironments.A	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
SG2012	文件：242.74 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEMEDIUMCURRENTDRIVERARRAYS DESCRIPTION TheSG2000seriesintegratessevenNPNDarlingtonpairswithinternalsuppressiondiodestodrivelamps,relays,andsolenoidsinmanymilitary,aerospace,andindustrialapplicationsthatrequiresevereenvironments.Allunitsfeatureopencollectoroutputswithgreaterthan50Vbrea	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
SPDL2012	文件：2.29066 Mbytes Page：13 Pages	UltraCompactSMDCommonModeChokes TheSPDLproductSeriesisanewfamilyofultra-compactSMDcommon modechokesforEMIsuppressionofdifferentialmodenoiseasrequiredin electronicdevicesfilteringsignalsovernetworkinterfaces.Itisapplicable intheconsumer,industrialandautomotiveinterfacemarket. Inautomotiv	bel Bel Fuse Inc.	bel
SRF2012	文件：118.59 Kbytes Page：1 Pages	SMDLINEFILTER	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns

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产品属性

产品编号：
S2012DRP
制造商：
Littelfuse Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶闸管 - SCR
包装：
散装
电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm)：
100A，120A
SCR 类型：
标准恢复型
工作温度：
-40°C ~ 125°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
TO-252，（D-Pak）
描述：
SCR 200V 12A TO252

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