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S2000AFI	文件：130.9 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3P(H)IS package • High voltage • Fast switching APPLICATIONS • Horizontal deflection for color TV 文件：130.9 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
S2000AFI	文件：238.17 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3P(H)IS package • High voltage • Fast switching APPLICATIONS • Horizontal deflection for color TV 文件：238.17 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
S2000AFI	文件：60.08 Kbytes Page：6 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The S2000AFI is manufactured using Multiepitaxial Mesa technology for cost-effective high performance and uses a Hollow Emitter structure to enhance switching speeds. ■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE ■ HIGH VOLTAGE CAPABILITY ■ U.L. RECOGNISED ISOWATT218 PACKAGE (U.L. FILE 文件：60.08 Kbytes 页数：6 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
S2000AF	文件：214.85 Kbytes Page：11 Pages	High voltage NPN power transistor for standard definition CRT display 文件：214.85 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
S2000AF	文件：239.71 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：239.71 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
S2000AF	文件：136.21 Kbytes Page：1 Pages	TO-3P(H) IS PACKAGE SERIES 文件：136.21 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
S2000AF_0708	文件：214.85 Kbytes Page：11 Pages	High voltage NPN power transistor for standard definition CRT display 文件：214.85 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
S2000AFI	文件：239.75 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：239.75 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
S2000AF	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 700V 8A 3-Pin(3+Tab) ISOWATT218FX Tube	NJS	NJS
S2000AFI	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 700V 8A 3-Pin(3+Tab) ISOWATT218	NJS	NJS

晶体管资料

型号：
S2000A
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
电视（TV）_水平输出（Hout）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
1.5KV
最大电流允许值：
8A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
125W
放大倍数：
图片代号：
B-46
vtest：
1500
htest：
999900
atest：
8
wtest：
125

技术参数

Configuration：
Single
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1@2A@4.5A5@1A@4.5A
Maximum Collector Emitter Voltage：
700V
Maximum DC Collector Current：
8A
Maximum Emitter Base Voltage：
9V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Power Dissipation：
50000mW
Type：
NPN

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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