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S2000AF贴片三极管

ST/意法TO-3PFISOWATT218

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STTO-3PF

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TOSHIBATO-3PF

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STTO-3PF

20000

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STTO-3PF

16900

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电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价

深圳市盈慧通电子有限公司

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STTO-3PF

23480

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电子元器件采购降本 30%!砍掉中间差价！

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瀚佳科技(深圳)有限公司

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S2000AF

TOSHIBATO-3P

36500

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原装现货/放心购买

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S2000AF

TOSHIBATO-3P

10000

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S2000AF

STTO-3PF

35628

26+

独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证

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S2000AF

NSC

270

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TOSHIBATO-3P

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S2000AF

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S2000AF

STTO-3PF

38900

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S2000AF

STTO-3PF

20000

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原装

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S2000AF

STTO-3PF

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S2000AF功能描述:两极晶体管 - BJT HI VLT NPN PWR TRANS STANDARD DEF RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

S2000AF_07制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:High voltage NPN Power transistor for standard Definition CRT display

S2000AF_0708制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:High voltage NPN power transistor for standard definition CRT display

S2000AFI功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

产品属性

  • 产品编号：

    S2000AF

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

  • 包装：

    卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型：

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：

    5V @ 1A，4.5A

  • 电流 - 集电极截止（最大值）：

    200µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：

    4.5 @ 4.5A，5V

  • 工作温度：

    150°C（TJ）

  • 安装类型：

    通孔

  • 封装/外壳：

    TO-3P-3 整包

  • 供应商器件封装：

    TO-3PF

  • 描述：

    TRANS NPN 700V 8A TO3PF

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