S200-50中文资料RF/Microwave Si BJT Power Devices & Pallets数据手册Microchip规格书
技术参数
- 产品编号:
S200-50
- 制造商:
Microsemi Corporation
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
110V
- 频率 - 跃迁:
1.5MHz ~ 30MHz
- 增益:
12dB ~ 14.5dB
- 功率 - 最大值:
320W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
10 @ 1A,5V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
30A
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
底座安装
- 封装/外壳:
55HX
- 供应商器件封装:
55HX
- 描述:
RF TRANS NPN 110V 30MHZ 55HX
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
SEMITEL/晶讯 |
24+ |
SOD-923 |
29954 |
只做原装进口现货 |
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SEMITEL |
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SOD923 |
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SOD-923 |
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