S200-50数据手册分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF
技术参数
- 产品编号：
S200-50
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
110V
- 频率 - 跃迁：
1.5MHz ~ 30MHz
- 增益：
12dB ~ 14.5dB
- 功率 - 最大值：
320W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 1A，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
30A
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
55HX
- 供应商器件封装：
55HX
- 描述：
RF TRANS NPN 110V 30MHZ 55HX
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SEMITEL |
24+ |
NA/ |
9550 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
SEMTECH/升特 |
25+ |
原厂原封可拆样 |
54687 |
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询价 | ||
原装 |
20+ |
原装 |
56200 |
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SEMITEL |
11+ |
SOD-923 |
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24+ |
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SEMITEL |
11+ |
SOD-923 |
4477 |
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询价 | ||
23+ |
17ROHS |
8000 |
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SEMITEL/晶讯 |
2450+ |
SMD |
6540 |
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SEMITEL |
25+ |
SOD-923 |
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SEMITEL |
25+23+ |
SOD923 |
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